9月13日上午，应院纳米器件与应用重点实验室邀请，华中科技大学朱金龙研究员来所交流访问，并作题为“集成电路晶圆缺陷检测技术现状与新原理探索”的学术报告。报告会由樊士钊项目研究员主持，器件部师生参加了此次交流。

朱金龙研究员致力于集成电路芯片纳米尺度探测技术与装备研究。此次报告中，他介绍了集成电路纳米量级检测的挑战与机遇，总结了明场光学显微术、电子束检测系统等主流集成电路图形化缺陷检测系统，以及光学相位显微成像、布拉格晶格衍射-散射检测、X射线叠层衍射成像、基于轨道角动量的检测技术、基于表面等离子体的缺陷检测等潜在检测技术。此外，他还介绍了一种亚衍射结构光场超分辨检测技术，可有效检测集成电路晶圆缺陷的检测。最后，他介绍了集成电路芯片纳米尺度纳米量级检测的产业转化成果。

报告结束后，朱金龙研究员与参会师生进行了热烈的学术交流。大家对集成电路芯片纳米尺度探测技术的原理与应用前景进行了深入探讨。这次学术报告有助于开拓同学们的研究视野，激发师生们对集成电路晶圆缺陷检测技术研究领域的思考与探索，使大家对该领域有了更深入的理解，也为未来的合作建立了良好关系。

报告会现场